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参数资料
| 型号： | MCP41050T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DIGITAL 50K 1CH SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 接片： | 256 |
| 电阻（欧姆）： | 50k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 800 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 3 线串行（芯片选择） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2003 Microchip Technology Inc.
DS11195C-page 11
MCP41XXX/42XXX
2.1
Parametric Test Circuits
FIGURE 2-25:
Potentiometer Divider Non-
Linearity Error Test Circuit (DNL, INL).
FIGURE 2-26:
Resistor Position Non-
Linearity Error Test Circuit (Rheostat operation
DNL, INL).
FIGURE 2-27:
Wiper Resistance Test
Circuit.
FIGURE 2-28:
Power Supply Sensitivity
Test Circuit (PSS, PSRR).
FIGURE 2-29:
Gain vs. Frequency Test
Circuit.
FIGURE 2-30:
Capacitance Test Circuit.
V+
A
B
W
VMEAS*
V+ = VDD
1LSB = V+/256
DUT
*Assume infinite input impedance
+
-
A
B
W
DUT
IW
*Assume infinite input impedance
VMEAS*
No Connection
+
-
B
DUT
W
+
-
ISW
Rsw = 0.1V
Isw
Code = 00h
0.1V
VSS = 0 to VDD
A
V+
A
B
W
DUT
VA
V+ = VDD ± 10%
PSRR (dB) = 20LOG
VMEAS
)
(
PSS (%/%) =
VDD
VMEAS
VDD
*Assume infinite input impedance
VMEAS*
VDD
+
-
VIN
-
+
+5V
VOUT
2.5V DC
OFFSET
GND
A
B
DUT
W
~
VIN
-
+
+5V
VOUT
MCP601
2.5V DC
Offset
A
B
DUT
~
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCP41100E/SN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Single/Dual Digital Potentiometer with SPI Interface |
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