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参数资料
| 型号： | MCP4706A3T-E/CH |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 56/86页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DAC 8BIT NV EEP I2C SOT-23-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 设置时间： | 6µs |
| 位数： | 8 |
| 数据接口： | EEPROM，I²C，串行 |
| 转换器数目： | 1 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 功率耗散（最大）： | 452mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 输出数目和类型： | 1 电压，单极 |
| 采样率（每秒）： | * |
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MCP4706/4716/4726
DS22272C-page 6
2011-2012 Microchip Technology Inc.
Digital Interface
Output Low Voltage
VOL
——
0.4
V
IOL = 3 mA
Input High Voltage
(SDA and SCL Pins)
VIH
0.7VDD
——
V
Input Low Voltage
(SDA and SCL Pins)
VIL
—
—0.3VDD
V
Input Leakage
ILI
—
±1
A
SCL = SDA = VSS or
SCL = SDA = VDD
Pin Capacitance
CPIN
——
3
pF
EEPROM
EEPROM Write Time
T
WRITE
—25
50
ms
Data Retention
—
200
—
Years
At +25°C, (Note 1)
Endurance
1
—
Million
Cycles
At +25°C, (Note 1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, VDD = 2.7V to 5.5V, VSS = 0V, RL = 5 kΩ from VOUT to GND, CL = 100 pF,
TA = -40°C to +125°C. Typical values at +25°C.
Parameters
Symbol
Min
Typical
Max
Units
Conditions
Note
1:
This parameter is ensured by design and is not 100% tested.
2:
This Gain error does not include Offset error. See Section 1.0 “Electrical Characteristics” for more details in plots.
3:
Within 1/2 LSb of final value when code changes from 1/4 to 3/4 of FSR. (Example: 400h to C00h in 12-bit device).
4:
The power-up ramp rate affects on uploading the EEPROM contents to the DAC register. It measures the rise of VDD
over time.
5:
This parameter is ensured by characterization, and not 100% tested.
6:
The PD1:PD0 = 10, and ‘11’ configurations should have the same current.
7:
VDD = VREF = 5.5V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP4716A0T-E/MAY | 功能描述:数模转换器- DAC Sngl 10B NV DAC w/Ex Vref & I2C interface RoHS:否 制造商:Texas Instruments 转换器数量:1 DAC 输出端数量:1 转换速率:2 MSPs 分辨率:16 bit 接口类型:QSPI, SPI, Serial (3-Wire, Microwire) 稳定时间:1 us 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube |
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