参数资料
| 型号： | MCP631T-E/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP SGL 24MHZ 8-TDFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 10 V/µs |
| 增益带宽积： | 24MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 2.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页当前第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22197B-page 11
MCP631/2/3/4/5/9
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =2 kto VL, CL = 50 pF and CS =VSS.
2.3
Frequency Response
FIGURE 2-21:
CMRR and PSRR vs.
Frequency.
FIGURE 2-22:
Open-Loop Gain vs.
Frequency.
FIGURE 2-23:
Gain Bandwidth Product
and Phase Margin vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-24:
Gain Bandwidth Product
and Phase Margin vs. Common Mode Input
Voltage.
FIGURE 2-25:
Gain Bandwidth Product
and Phase Margin vs. Output Voltage.
FIGURE 2-26:
Closed-Loop Output
Impedance vs. Frequency.
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.E+2
1.E+3
1.E+4
1.E+5
1.E+6
1.E+7
Frequency (Hz)
CM
RR,
PSRR
(d
B)
100
1M
10k
10M
100k
1k
CMRR
PSRR+
PSRR-
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
1.E+0 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+4 1.E+5 1.E+6 1.E+7 1.E+8
Frequency (Hz)
O
p
e
n
-L
oo
p
G
ai
n
(
d
B
)
-240
-210
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
O
p
en-
L
o
p
P
h
ase
(°)
| AOL |
A
OL
100
10k
1M
100M
1
1k
100k
10M
10
20
22
24
26
28
30
32
34
36
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
G
a
in
B
and
wid
th
P
rod
uc
t
(M
Hz)
40
45
50
55
60
65
70
75
80
P
h
as
eM
arg
in
(°)
PM
GBWP
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
20
22
24
26
28
30
32
34
36
-0.5
0.
0
0.
5
1.
0
1.
5
2.
0
2.
5
3.
0
3.
5
4.
0
4.
5
5.
0
5.
5
6.
0
Common Mode Input Voltage (V)
G
a
in
B
and
wid
th
P
rod
uc
t
(M
Hz)
40
45
50
55
60
65
70
75
80
P
h
as
eM
arg
in
(°)
PM
GBWP
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
20
22
24
26
28
30
32
34
36
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
G
ain
B
andw
idth
Pr
odu
ct
(M
H
z)
40
45
50
55
60
65
70
75
80
P
h
a
se
M
ar
g
in
(°
)
PM
GBWP
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
0.1
1
10
100
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
Frequency (Hz)
10k
1M
10M
100M
C
lo
se
d
-L
o
p
Out
p
ut
Im
pe
da
nc
e(
)
100k
G = 101 V/V
G = 11 V/V
G = 1 V/V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP631T-E/SN | IC OPAMP R-R 24MHZ 8SOIC |
| TLV342IDG4 | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ 8SOIC |
| 2510-6003UB | CONN HEADER 10POS STR GOLD T/H |
| FWJ-08-01-T-S | CONN HEADER .156" 8POS SNGL TIN |
| 68602-572 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP632-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP633-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。