参数资料
| 型号： | MCP631T-E/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP SGL 24MHZ 8-TDFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 10 V/µs |
| 增益带宽积： | 24MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 2.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22197B-page 13
MCP631/2/3/4/5/9
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =2 kto VL, CL = 50 pF and CS =VSS.
2.4
Noise and Distortion
FIGURE 2-29:
Input Noise Voltage Density
vs. Frequency.
FIGURE 2-30:
Input Noise Voltage Density
vs. Input Common Mode Voltage with f = 100 Hz.
FIGURE 2-31:
Input Noise Voltage Density
vs. Input Common Mode Voltage with f = 1 MHz.
FIGURE 2-32:
Input Noise vs. Time with
0.1 Hz Filter.
FIGURE 2-33:
THD+N vs. Frequency.
1.E+0
1.E+1
1.E+2
1.E+3
1.E+4
1.E-1
1.E+0
1.E+1
1.E+2
1.E+3
1.E+4
1.E+5
1.E+6
1.E+7
Frequency (Hz)
0.1
100
10k
1M
In
p
u
tN
o
is
e
V
o
lt
ag
e
D
en
sity
(V
/
Hz)
1
1k
100k
10M
10
1n
100n
1
10
10n
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-0
.5
0.
0
0.
5
1.
0
1.
5
2.
0
2.
5
3.
0
3.
5
4.
0
4.
5
5.
0
5.
5
6.
0
Common Mode Input Voltage (V)
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
In
p
u
tN
o
is
eV
o
lt
ag
e
D
ens
it
y
(n
V
/
Hz
)
f = 100 Hz
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-0
.5
0.
0
0.
5
1.
0
1.
5
2.
0
2.
5
3.
0
3.
5
4.
0
4.
5
5.
0
5.
5
Common Mode Input Voltage (V)
VDD = 5.5V
VDD = 2.5V
In
p
u
tN
o
is
eV
o
lt
ag
e
D
ens
it
y
(n
V
/
Hz
)
f = 1 MHz
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
Time (min)
In
put
N
o
is
e;
e
ni
(t)
(
V)
Representative Part
Analog NPBW = 0.1 Hz
Sample Rate = 2 SPS
VOS = -3150 V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1.E+2
1.E+3
1.E+4
1.E+5
Frequency (Hz)
TH
D
+
N
o
ise
(%
)
VDD = 5.0V
VOUT = 2 VP-P
100
1k
10k
100k
BW = 22 Hz to 80 kHz
BW = 22 Hz to > 500 kHz
G = 1 V/V
G = 11 V/V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP631T-E/SN | IC OPAMP R-R 24MHZ 8SOIC |
| TLV342IDG4 | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ 8SOIC |
| 2510-6003UB | CONN HEADER 10POS STR GOLD T/H |
| FWJ-08-01-T-S | CONN HEADER .156" 8POS SNGL TIN |
| 68602-572 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP632-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP632T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 24MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP633-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 24MHz OP w /CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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