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参数资料
型号： MCP6409T-H/SL
厂商： Microchip Technology
文件页数： 5/44页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP QUAD 1.8V 1MHZ 14SOIC
标准包装： 2,600
放大器类型： 通用
电路数： 4
输出类型： 满摆幅
转换速率： 0.5 V/µs
增益带宽积： 1MHz
电流 - 输入偏压： 1pA
电压 - 输入偏移： 4500µV
电流 - 电源： 45µA
电流 - 输出 / 通道： 15mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.8 V ~ 6 V
工作温度： -40°C ~ 150°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 14-SOICN
包装： 带卷 (TR)
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22229D-page 13
MCP6401/1R/1U/2/4/6/7/9
Note: Unless otherwise indicated, T
A = +25°C, VDD = +1.8V to +6.0V, VSS = GND, VCM = VDD/2, VOUT ≈ VDD/2,
VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL and CL = 60 pF.
FIGURE 2-25:
Output Voltage Swing vs.
Frequency.
FIGURE 2-26:
Output Voltage Headroom
vs. Output Current.
FIGURE 2-27:
Output Voltage Headroom
vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-28:
Slew Rate vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-29:
Small Signal Non-Inverting
Pulse Response.
FIGURE 2-30:
Small Signal Inverting Pulse
Response.
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
Frequency (Hz)
Ou
tp
u
tV
o
lt
a
g
eS
w
in
g
(V
P-
P
)
VDD = 1.8V
VDD = 6.0V
100
1k
10k
100k
1M
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
Output Current (mA)
O
u
tput
V
o
lt
a
g
e
H
ea
d
ro
om
(m
V
)
0.01
0.1
1
10
VDD - VOH @ VDD = 1.8V
VOL - VSS @ VDD = 1.8V
VDD - VOH @ VDD = 6.0V
VOL - VSS @ VDD = 6.0V
RL = 10 k
0
3
6
9
12
15
18
21
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Output
V
o
ltage
Headroom
V
DD
-V
OH
or
V
OL
-V
SS
(mV)
Ambient Temperature (°C)
V
DD -VOH @ VDD = 1.8V
V
OL -VSS @ VDD = 1.8V
V
DD -VOH @ VDD = 6.0V
V
OL -VSS@ VDD = 6.0V
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Slew
Rate
(V/μs)
Temperature (°C)
Falling Edge, V
DD = 6.0V
Rising Edge, V
DD = 6.0V
Falling Edge, V
DD = 1.8V
Rising Edge, V
DD = 1.8V
Time (2 s/div)
O
u
tp
u
tV
o
lt
ag
e
(2
0
m
v
/d
iv
)
VDD = 6.0V
G = +1 V/V
Time (2 s/div)
O
u
tp
u
tV
o
lt
a
g
e
(20
m
v
/d
iv)
VDD = 6.0V
G = -1 V/V
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