参数资料
| 型号： | MCP660-E/SL |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP TRPL 6MA 60MHZ 14SOIC |
| 标准包装： | 57 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 3 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 22
2009-2012 Microchip Technology Inc.
4.2
Rail-to-Rail Output
4.2.1
MAXIMUM OUTPUT VOLTAGE
The Maximum Output Voltage (see Figure 2-16 and
Figure 2-17) describes the output range for a given
load. For example, the output voltage swings to within
50 mV of the negative rail with a 1 k
load tied to
VDD/2.
4.2.2
OUTPUT CURRENT
Figure 4-4 shows the possible combinations of output
voltage (VOUT) and output current (IOUT), when VDD =
5.5V.
IOUT is positive when it flows out of the op amp into the
external circuit.
FIGURE 4-4:
Output Current.
4.2.3
POWER DISSIPATION
Since the output short circuit current (ISC) is specified
at ±90 mA (typical), these op amps are capable of both
delivering and dissipating significant power.
FIGURE 4-5:
Diagram for Power
Calculations.
Figure 4-5 shows the power calculations used for a sin-
gle op amp:
RSER is 0 in most applications, and can be used
to limit IOUT.
VOUT is the op amp’s output voltage.
VL is the voltage at the load.
VLG is the load’s ground point.
VSS is usually ground (0V).
The input currents are assumed to be negligible. The
currents shown in Figure 4-5 can be approximated
using Equation 4-1:
EQUATION 4-1:
The instantaneous op amp power (POA(t)), RSER power
(PRSER(t)) and load power (PL(t)) are calculated in
EQUATION 4-2:
The maximum op amp power, for resistive loads,
occurs when VOUT is halfway between VDD and VLG or
halfway between VSS and VLG.
EQUATION 4-3:
The maximum ambient to junction temperature rise
(
TJA) and junction temperature (TJ) can be calculated
using POAmax, ambient temperature (TA), the package
thermal resistance (
JA – found in Table 1-4), and the
number of op amps in the package (assuming equal
power dissipations), as shown in Equation 4-4:
EQUATION 4-4:
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
-120
-100
-8
0
-6
0
-4
0
-2
0
20
40
60
80
100
120
IOUT (mA)
V
OU
T(V
)
RL = 10
RL = 100
RL = 1 k
VOH Limited
VOL Limited
-I
SC
Li
m
ite
d
+I
SC
Li
m
ite
d
(VDD = 5.5V)
VDD
VL
RL
VLG
IDD
ISS
IL
IOUT
RSER
VOUT
VSS
MCP66X
VOUT – VLG
IOUT = IL =
RSER + RL
IDD IQ + max(0, IOUT)
ISS –IQ + min(0, IOUT)
Where:
IQ = quiescent supply current
POA(t) = IDD (VDD – VOUT) + ISS (VSS – VOUT)
PRSER(t) = IOUT2RSER
PL(t) = IL2RL
POAmax
max2(VDD – VLG, – VSS)
4(RSER + RL)
TJA = POA(t) JA n POAmaxJA
TJ = TA + TJA
Where:
n = number of op amps in package (1, 2)
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PDF描述 |
|---|---|
| 6-103164-5 | 34 MODII HDR DRRA 3/4SHRD LF |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP660T-E/ML | 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP w/CS E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP660T-E/SL | 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP660T-E/ST | 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP661DM-LD | 功能描述:放大器 IC 开发工具 Demo Board MCP661 Line Driver RoHS:否 制造商:International Rectifier 产品:Demonstration Boards 类型:Power Amplifiers 工具用于评估:IR4302 工作电源电压:13 V to 23 V |
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