参数资料
型号: MCP660-E/SL
厂商: Microchip Technology
文件页数: 56/68页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP TRPL 6MA 60MHZ 14SOIC
标准包装: 57
放大器类型: 通用
电路数: 3
输出类型: 满摆幅
转换速率: 32 V/µs
增益带宽积: 60MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 1800µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 80mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOICN
包装: 管件
MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 6
2009-2012 Microchip Technology Inc.
1.3
Timing Diagram
FIGURE 1-1:
Timing Diagram.
1.4
Test Circuits
The circuit used for most DC and AC tests is shown in
Figure 1-2. This circuit can independently set VCM and
VOUT; see Equation 1-1. Note that VCM is not the
circuit’s Common mode voltage ((VP + VM)/2), and that
VOST includes VOS plus the effects (on the input offset
error, VOST) of temperature, CMRR, PSRR and AOL.
EQUATION 1-1:
FIGURE 1-2:
AC and DC Test Circuit for
Most Specifications.
VOUT
ISS
ICS
-1 A
High-Z
1 A
On
-6 mA
-1 A
tON
tOFF
High-Z
0 nA
1 A
CS
VIL
VIH
(typical)
GDM
RF RG
=
VCM
VP VDD 2
+
2
=
VOUT
VDD 2
VP VM
V
OST 1
GDM
+
++
=
Where:
GDM = Differential Mode Gain
(V/V)
VCM = Op Amp’s Common Mode
Input Voltage
(V)
VOST = Op Amp’s Total Input Offset
Voltage
(mV)
VOST
VIN– VIN+
=
VDD
RG
RF
VOUT
VM
CB2
CL
RL
VL
CB1
10 k
10 k
RG
RF
VDD/2
VP
10 k
10 k
20 pF
1 k
2.2 F
100 nF
VIN-
VIN+
CF
6.8 pF
CF
6.8 pF
MCP66X
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MCP660T-E/SL 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP660T-E/ST 功能描述:运算放大器 - 运放 Triple 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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