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参数资料
型号： MCP6N11T-005E/SN
厂商： Microchip Technology
文件页数： 48/50页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 2.5MHZ 8SOIC
标准包装： 3,300
放大器类型： 仪表
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 9 V/µs
增益带宽积： 2.5MHz
电流 - 输入偏压： 10pA
电压 - 输入偏移： 850µV
电流 - 电源： 800µA
电流 - 输出 / 通道： 30mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 带卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 7
MCP6N11
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = 25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD,
VCM = VDD/2, VDM =0V, VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL =10kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM =GMIN;
see Figure 1-6 and Figure 1-7.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units GMIN
Conditions
EN/CAL Low Specifications
EN/CAL Logic
Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2 VDD
Vall
EN/CAL Input Current,
Low
IENL
—
-0.1
—
nA
EN/CAL = 0V
GND Current
ISS
-7
-2.5
—
A
EN/CAL = 0V, VDD =5.5V
Amplifier Output Leakage IO(LEAK)
—
10
—
nA
EN/CAL = 0V
EN/CAL High Specifications
EN/CAL Logic
Threshold, High
VIH
0.8 VDD
VDD
Vall
EN/CAL Input Current,
High
IENH
—
-0.01
—
nA
EN/CAL = VDD
EN/CAL Dynamic Specifications
EN/CAL Input Hysteresis
VHYST
—
0.2
—
Vall
EN/CAL Low to Amplifier
Output High-Z Turn-off
Time
tOFF
—
3
10
s
EN/CAL = 0.2VDD to VOUT = 0.1(VDD/2),
VDMGDM = 1 V, VL =0V
EN/CAL High to
Amplifier Output
On Time
tON
12
20
28
ms
EN/CAL = 0.8VDD to VOUT = 0.9(VDD/2),
VDMGDM = 1 V, VL =0V
EN/CAL Low to
EN/CAL High low time
tENLH
100
—
s
Minimum time before externally
releasing EN/CAL (Note 1)
Amplifier On to
EN/CAL Low Setup Time
tENOL
—100
—
s
POR Dynamic Specifications
VDD ↓ to Output Off
tPHL
—10
—
s
all
VL =0V, VDD = 1.8V to
VPRL –0.1V step,
90% of VOUT change
VDD ↑ to Output On
tPLH
140
250
360
ms
VL =0V, VDD = 0V to VPRH +0.1V step,
90% of VOUT change
Note 1:
For design guidance only; not tested.
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, all limits are specified for: VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
(Note 1)
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θJA
—150
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-TDFN (2×3)
θJA
—53—
°C/W
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed the Absolute Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
相关PDF资料
PDF描述
P6KE400CA-HF TVS 600W 400V BIDIRECT DO-15
76382-404 CONN HEADER 4POS .100" R/A TIN
76383-309 CONN HEADER 18PS.100 DL R/A GOLD
PCN10C-44S-2.54DS DIN CONN RCPT 44 POS 2 ROW R ANG
MCP6N11T-002E/SN IC AMP INSTR RRIO 1MHZ 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6N11T-010E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-010E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-100E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-100E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6S21-I/MS 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
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