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参数资料
型号： MCP6N11T-005E/SN
厂商： Microchip Technology
文件页数： 5/50页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 2.5MHZ 8SOIC
标准包装： 3,300
放大器类型： 仪表
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 9 V/µs
增益带宽积： 2.5MHz
电流 - 输入偏压： 10pA
电压 - 输入偏移： 850µV
电流 - 电源： 800µA
电流 - 输出 / 通道： 30mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 带卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 13
MCP6N11
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
2.1
DC Voltages and Currents
FIGURE 2-1:
Normalized Input Offset
Voltage, with GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-2:
Normalized Input Offset
Voltage, with GMIN = 100.
FIGURE 2-3:
Normalized Input Offset
Voltage Drift, with GMIN = 1 to 10.
FIGURE 2-4:
Normalized Input Offset
Voltage Drift, with GMIN = 100.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
30%
35%
es
330 Samples
T
A =
25%
30%
rrence
T
A
+25°C
V
DD = 1.8V and 5.5V
RTO
20%
fOccu
G
MIN = 1
G
MIN =2to10
10%
15%
tage
of
G
MIN =2to 10
5%
10%
Percent
0%
0
6
2
8
4
0
4
8
2
6
0
P
-2.
0
-1.
6
-1.
2
-0.
8
-0.
4
0.
0
0.
4
0.
8
1.
2
1.
6
2.
0
Normalized Input Offset Voltage; G
MINVOS (mV)
12%
14%
s
330 Samples
G
MIN = 100
10%
12%
rrence
MIN
T
A = +25°C
V
DD = 1.8V and 5.5V
RTO
8%
fOccu
6%
tage
o
f
2%
4%
P
ercen
t
0%
2%
P
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Normalized Input Offset Voltage; G
MINVOS (mV)
25%
c
es
No V
OS Re-calibration
330 Samples
20%
c
urren
c
p
G
MIN = 1 to 10
V
DD = 5.5V
RTO
15%
of
Oc
c
10%
e
ntage
5%
Perc
e
0%
600
500
4
00
300
2
00
100
0
100
2
00
300
4
00
500
600
-
-4
-
-2
-
2
4
Normalized Input Offset Voltage Drift;
G
MIN(VOS/TA) (μV/°C)
16%
18%
c
es
No V
OS Re-calibration
330 Samples
12%
14%
c
urren
c
p
G
MIN = 100
V
DD = 5.5V
RTO
8%
10%
of
Oc
c
4%
6%
8%
e
ntage
0%
2%
4%
Perc
e
0%
1
200
1
000
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
1
000
1
200
-1
1
Normalized Input Offset Voltage Drift;
G
MIN(VOS/TA) (μV/°C)
相关PDF资料
PDF描述
P6KE400CA-HF TVS 600W 400V BIDIRECT DO-15
76382-404 CONN HEADER 4POS .100" R/A TIN
76383-309 CONN HEADER 18PS.100 DL R/A GOLD
PCN10C-44S-2.54DS DIN CONN RCPT 44 POS 2 ROW R ANG
MCP6N11T-002E/SN IC AMP INSTR RRIO 1MHZ 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6N11T-010E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-010E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-100E/MNY 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6N11T-100E/SN 功能描述:仪表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
MCP6S21-I/MS 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
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