参数资料
| 型号： | MCP6V28T-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 45/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP AUTO-ZERO SGL 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 自动调零 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 7pA |
| 电压 - 输入偏移： | 2µV |
| 电流 - 电源： | 620µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 22mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2011 Microchip Technology Inc.
DS25007B-page 5
MCP6V26/7/8
TABLE 1-2:
AC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.3V to +5.5V, VSS = GND,
VCM = VDD/3, VOUT =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and CS = GND (refer to Figure 1-5 and
Parameters
Sym
Min Typ
Max
Units
Conditions
Amplifier AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP —
2.0
—
MHz
Slew Rate
SR
—
1.0
—
V/s
Phase Margin
PM
—
65
—
°
G = +1
Amplifier Noise Response
Input Noise Voltage
Eni
—0.32
—
VP-P
f = 0.01 Hz to 1 Hz
Eni
—1.0
—
VP-P
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—50
—
nV/
√Hz f < 5 kHz
eni
—29
—
nV/
√Hz f = 100 kHz
Input Noise Current Density
ini
—0.6
—
fA/
√Hz
Amplifier Distortion (Note 1)
Intermodulation Distortion (AC)
IMD
—
40
—
VPK
VCM tone = 50 mVPK at 1 kHz,
GN = 1
Amplifier Step Response
Start Up Time
tSTR
—
75
—
s
G = +1, VOS within 50 V of its final value
Offset Correction Settling Time
tSTL
—
150
—
s
G = +1, VIN step of 2V,
VOS within 50 V of its final value
Output Overdrive Recovery Time
tODR
—
45
—
s
G = -100, ±0.5V input overdrive to VDD/2,
VIN 50% point to VOUT 90% point
Note 1:
These parameters were characterized using the circuit in Figure 1-7. In Figure 2-37 and Figure 2-38, there
is an IMD tone at DC, a residual tone at 1 kHz, other IMD tones and clock tones.
2:
High gains behave differently; see Section 4.3.3, Offset at Power Up.
3:
tODR includes some uncertainty due to clock edge timing.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL5161IWZ-T7 | IC AMP CFA SGL 200MHZ SOT23-5 |
| MTLW-107-05-G-D-170 | CONN HEADER 14POS 1.00" DL GOLD |
| TSW-108-07-G-T | CONN HEADER 24POS .100" AU |
| 3429-6002UG | CONN HEADER 26POS STR NO LATCH |
| TST-108-04-L-D-RA | CONN HEADER 16POS .100" R/A GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6V31T-E/OT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6V31T-E/OT-CUT TAPE | 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R |
| MCP6V31UT-E/LT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6V31UT-E/OT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP6V31UT-E/OT-CUT TAPE | 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R |
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