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参数资料
型号： MCP6V28T-E/MS
厂商： Microchip Technology
文件页数： 7/50页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP AUTO-ZERO SGL 8SOIC
标准包装： 2,500
放大器类型： 自动调零
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 1 V/µs
增益带宽积： 2MHz
电流 - 输入偏压： 7pA
电压 - 输入偏移： 2µV
电流 - 电源： 620µA
电流 - 输出 / 通道： 22mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.3 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装： 8-MSOP
包装： 带卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25007B-page 15
MCP6V26/7/8
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.3V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =10kΩ to VL, CL = 60 pF and CS = GND.
2.4
Input Noise and Distortion
FIGURE 2-35:
Input Noise Voltage Density
and Integrated Input Noise Voltage vs.
Frequency.
FIGURE 2-36:
Input Noise Voltage Density
vs. Input Common Mode Voltage.
FIGURE 2-37:
Intermodulation Distortion
vs. Frequency with VCM Disturbance (see
Figure 1-7).
FIGURE 2-38:
Intermodulation Distortion
vs. Frequency with VDD Disturbance (see
Figure 1-7).
FIGURE 2-39:
Input Noise vs. Time with
1 Hz and 10 Hz Filters and VDD =2.3V.
FIGURE 2-40:
Input Noise vs. Time with
1 Hz and 10 Hz Filters and VDD =5.5V.
1,000
10,000
;
o
ltag
e;
D
en
sity
;
VDD = 5.5V
VDD = 2.3V
100
1,000
o
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V
o
-P
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D
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10
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100
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N
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1
10
1E 01 1E 02 1E 03 1E 04 1E 05
In
te
g
r
In
p
10
1k
10k
100k
Eni(0 Hz to f)
100
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05
Frequency (Hz)
10
1k
10k
100k
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Common Mode Input Voltage (V)
VDD = 5.5V
VDD = 2.3V
Input
Noise
Voltage
Density
(nV/Hz)
f < 5 kHz
0.1
1
10
100
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
Frequency (Hz)
IM
D
S
p
ec
tr
u
m
,RT
I(
V
PK
)
GDM = 1 V/V
VCM tone = 50 mVPK, f = 1 kHz
100
1k
10k
100k
IMD tone at DC
residual 1 kHz tone
VDD = 2.3V
VDD = 5.5V
0.1
1
10
100
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
Frequency (Hz)
IM
D
S
p
ec
tru
m
,R
T
I
(
V
PK
)
100
1k
10k
100k
GDM = 1 V/V
VDD tone = 50 mVP-P, f = 1 kHz
IMD tone at DC
1 kHz tone
VDD = 5.5V
VDD = 2.3V
0
102030
405060
7080
90 100
t (s)
In
p
u
tN
o
ise
V
o
lt
a
g
e;
e
ni
(t)
(0
.2
V
/d
iv
)
VDD = 2.3V
NPBW = 10 Hz
NPBW = 1 Hz
0
10
20304050
60
708090 100
t (s)
In
p
u
tN
o
ise
V
o
lt
ag
e
;
e
ni
(t)
(0
.2
V
/d
iv
)
VDD = 5.5V
NPBW = 10 Hz
NPBW = 1 Hz
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PDF描述
EL5161IWZ-T7 IC AMP CFA SGL 200MHZ SOT23-5
MTLW-107-05-G-D-170 CONN HEADER 14POS 1.00" DL GOLD
TSW-108-07-G-T CONN HEADER 24POS .100" AU
3429-6002UG CONN HEADER 26POS STR NO LATCH
TST-108-04-L-D-RA CONN HEADER 16POS .100" R/A GOLD
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6V31T-E/OT 功能描述:运算放大器 - 运放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6V31T-E/OT-CUT TAPE 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R
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MCP6V31UT-E/OT-CUT TAPE 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R
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