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参数资料
| 型号： | MCP795W10-I/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 类型： | 时钟/日历 |
| 特点： | 警报，EEPROM，闰年，方波输出，SRAM，看门狗定时器 |
| 存储容量： | 64B |
| 时间格式： | HH:MM:SS:hh（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | SPI |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 1.3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
MCP795W1X/MCP795W2X
DS22280C-page 4
Preliminary
2011-2012 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I):
TAMB = -40°C to +85°C VCC = 1.8V to 3.6V
Param.
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Max.
Units
Test Conditions
1FCLK
Clock Frequency
—
5
3
MHz
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
2TCSS
CS Setup Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
3TCSH
CS Hold Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
4TCSD
CS Disable Time
50
—
ns
—
5
Tsu
Data Setup Time
20
30
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
6THD
Data Hold Time
40
50
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
7TR
CLK Rise Time
—
100
ns
(Note 1)
8TF
CLK Fall Time
—
100
ns
(Note 1)
9THI
Clock High Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
10
TLO
Clock Low Time
100
150
—
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
11
TCLD
Clock Delay Time
50
—
ns
—
12
TCLE
Clock Enable Time
50
—
ns
—
13
TV
Output Valid from Clock
Low
—
100
160
ns
2.5V
Vcc 3.6V
1.8V
Vcc 2.5V
14
THO
Output Hold Time
0
—
ns
(Note 1)
15
TDIS
Output Disable Time
—
80
160
ns
2.5V
Vcc 3.6V (Note 1)
1.8V
Vcc 2.5V (Note 1)
16
TWC
Internal Write Cycle Time
—
5
ms
(Note 3)
17
—
Endurance
1,000,000
—
E/W
Cycles
(Note 2)
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance Model which can be obtained from Microchip’s web site:
www.microchip.com.
3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle
is complete.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD5243BRMZ100 | IC DGTL POT DUAL 100K I2C 10MSOP |
| MCP795W10-I/SL | IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14SOIC |
| AD5248BRMZ50 | IC DGTL POT DUAL 50K I2C 10-MSOP |
| AD5162BRMZ10 | IC POT DUAL 10K 256POS 10-MSOP |
| AD5248BRMZ10 | IC DGTL POT DUAL 10K I2C 10-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP795W10T-I/SL | 功能描述:实时时钟 1Kb EE 64B SRAM WD TED ID RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MCP795W10T-I/ST | 功能描述:实时时钟 1Kb EE 64B SRAM WD TED ID RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MCP795W11 | 制造商:MAS 制造商全称:MAS 功能描述:SPI Real-Time Clock Calendar |
| MCP795W11-I/SL | 功能描述:实时时钟 1Kb EE 64B SRAM WD TED EUI-48 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MCP795W11-I/ST | 功能描述:实时时钟 1Kb EE 64B SRAM WD TED EUI-48 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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