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参数资料
| 型号： | MCT5211SVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS OUT VDE 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 75% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameters
Value
Units
TOTAL DEVICE
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation @ 25°C (LED plus detector)
Derate Linearly From 25°C
-55 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
260
3.5
°C
°C
°C
mW
mW/°C
EMITTER
I F
V R
I F (pk)
P D
Continuous Forward Current
Reverse Input Voltage
Forward Current - Peak (1 μs pulse, 300 pps)
LED Power Dissipation
Derate Linearly From 25°C
50
6
3.0
75
1.0
mA
V
A
mW
mW/°C
DETECTOR
I C
P D
Continuous Collector Current
Detector Power Dissipation
Derate Linearly from 25°C
150
150
2.0
mA
mW
mW/°C
?1983 Fairchild Semiconductor Corporation
MCT5201M, MCT5210M, MCT5211M Rev. 1.1.3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 77083224P | RES ARRAY 220K OHM 4 RES 8-SIP |
| FSI-140-03-G-D-E-AD | CONN INTERFACE ONE PC 1MM 80POS |
| MOCD208VM | OPTOCOUPLER DUAL TRANS-OUT 8SOIC |
| FSI-130-06-L-D-E-AD | CONN INTERFACE ONE PC 1MM 60POS |
| N3505-31 | CONN LONG EJECT LATCH GRAY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCT5211TM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupl DC-In 1-Ch w/Base DC-Out 6-Pin RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6P-DIP LO-INPUT CURR PHOTO OUTPT-OPTOCOUP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MCT5211W | 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211-X001 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Bulk |
| MCT5211-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 110% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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