参数资料
型号: MCT5211SVM
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 9/13页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER TRANS OUT VDE 6-SMD
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5300Vrms
电流传输比(最小值): 75% @ 1mA
输出电压: 30V
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD
包装: 管件
Typical Electro-Optical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise specified)
V CC = 5.0 V
V CC = 5.0 V
Pulse Gen
Z O = 50 ?
1K
Pulse Gen
Z O = 50 ?
1K
4.7K
f = 10KHz
f = 10KHz
10% D.F.
V O
10% D.F.
D1
D2
I F monitor
I F monitor
V O
D3
100 ?
330K
100 ?
330K
D4
t r , t f , t d , t s
TEST CIRCUIT
INPUT
Figure 13.
t PHL , t PLH
TEST CIRCUIT
(I F )
50%
0
t d
90%
90%
OUTPUT
(V O )
t PHL
t PLH
0
t r
1.3 V
10%
1.3 V
t s
10%
t f
Figure 14. Switching Circuit Waveforms
?1983 Fairchild Semiconductor Corporation
MCT5201M, MCT5210M, MCT5211M Rev. 1.1.3
9
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
77083224P RES ARRAY 220K OHM 4 RES 8-SIP
FSI-140-03-G-D-E-AD CONN INTERFACE ONE PC 1MM 80POS
MOCD208VM OPTOCOUPLER DUAL TRANS-OUT 8SOIC
FSI-130-06-L-D-E-AD CONN INTERFACE ONE PC 1MM 60POS
N3505-31 CONN LONG EJECT LATCH GRAY
相关代理商/技术参数
参数描述
MCT5211TM 功能描述:高速光耦合器 Optocoupl DC-In 1-Ch w/Base DC-Out 6-Pin RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
MCT5211TVM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6P-DIP LO-INPUT CURR PHOTO OUTPT-OPTOCOUP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MCT5211W 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
MCT5211-X001 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Bulk
MCT5211-X007 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 110% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk