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参数资料
| 型号： | MCT5211SVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS OUT VDE 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 75% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise speci?ed)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameters
Test Conditions
Device
Min.
Typ.* Max. Units
EMITTER
V F
? V F
? T A
V R
C J
Input Forward Voltage
Forward Voltage Temp. Coef?cient
Reverse Voltage
Junction Capacitance
I F = 5mA
I F = 2mA
I R = 10μA
V F = 0V, f = 1.0MHz
All
All
All
All
6
1.25
-1.75
18
1.5
V
mV/°C
V
pF
DETECTOR
BV CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = 1.0mA, I F = 0
All
30
100
V
BV CBO
BV EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
I C = 10μA, I F = 0
I E = 10μA, I F = 0
All
All
30
5
120
10
V
V
I CER
C CE
C CB
C EB
Collector-Emitter Dark Current
Capacitance, Collector to Emitter
Capacitance, Collector to Base
Capacitance, Emitter to Base
V CE = 10V, I F = 0,
R BE = 1M ?
V CE = 0, f = 1MHz
V CB = 0, f = 1MHz
V EB = 0, f = 1MHz
All
All
All
All
1
10
80
15
100
nA
pF
pF
pF
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
R ISO
Characteristic
Input-Output Isolation
Voltage (10)
Isolation Resistance (10)
Test Conditions
f = 60Hz, t = 1 sec.
V I-O = 500 VDC, T A = 25°C
Device
All
All
Min. Typ.* Max.
7500
10 11
Units
Vac(peak)
?
C ISO
Isolation Capacitance
(9)
V I-O = 0, f = 1 MHz
All
0.4
0.6
pF
CM H
Common Mode Transient
V CM = 50 V P-P1 , R L = 750 ? ,
MCT5210M/11M
5000
V/μs
I F = 0
Rejection – Output HIGH
V CM = 50 V P-P , R L = 1K ? ,
I F = 0
MCT5201M
CM L
Common Mode Transient
V CM = 50 V P-P1 , R L = 750 ? ,
MCT5210M/11M
5000
V/μs
I F =1.6mA
Rejection – Output LOW
V CM = 50 V P-P1 , R L = 1K ? ,
MCT5201M
I F = 5mA
*All typical T A = 25°C
?1983 Fairchild Semiconductor Corporation
MCT5201M, MCT5210M, MCT5211M Rev. 1.1.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 77083224P | RES ARRAY 220K OHM 4 RES 8-SIP |
| FSI-140-03-G-D-E-AD | CONN INTERFACE ONE PC 1MM 80POS |
| MOCD208VM | OPTOCOUPLER DUAL TRANS-OUT 8SOIC |
| FSI-130-06-L-D-E-AD | CONN INTERFACE ONE PC 1MM 60POS |
| N3505-31 | CONN LONG EJECT LATCH GRAY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCT5211TM | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupl DC-In 1-Ch w/Base DC-Out 6-Pin RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6P-DIP LO-INPUT CURR PHOTO OUTPT-OPTOCOUP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| MCT5211W | 功能描述:高速光耦合器 6-Pin Optocoupler Phototrans LoCurrent RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| MCT5211-X001 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Bulk |
| MCT5211-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 110% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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