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参数资料
| 型号： | MD7IC18120NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| 标准包装： | 500 |
| 频率： | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| P1dB： | 50.8dBm（120W） |
| 增益： | 25.8dB |
| RF 型： | W-CDMA |
| 电源电压： | 28V |
| 测试频率： | 1.88GHz |
| 封装/外壳： | TO-270-16 变式， 扁平引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Drain--Source Voltage
Gate--Source Voltage
Operating Voltage
Storage Temperature Range
Case Operating Temperature
Operating Junction Temperature (1,2)
CW Operation @ T C = 25 ° C
Derate above 25 ° C
Input Power
Symbol
V DSS
V GS
V DD
T stg
T C
T J
CW
P in
Value
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65 to +150
150
225
175
1.5
30
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
° C
° C
° C
W
W/ ° C
dBm
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value (2,3)
Unit
Final Doherty Application
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 78 ° C, P out = 30 W CW, 1880 MHz
Stage 1A, 28 Vdc, I DQ1A = 70 mA
Stage 1B, 28 Vdc, I DQ1B = 160 mA
Stage 2A, 28 Vdc, V G2A = 1.7 Vdc
Stage 2B, 28 Vdc, I DQ2B = 500 mA
R θ JC
4.5
4.5
0.88
0.88
° C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Human Body Model (per JESD22--A114)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Class
2 (Minimum)
A (Minimum)
III (Minimum)
Test Methodology
Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020
Rating
3
Package Peak Temperature
260
Unit
° C
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf . Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf .
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
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PDF描述 |
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参数描述 |
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