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参数资料
| 型号： | MD7IC18120NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| 标准包装： | 500 |
| 频率： | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| P1dB： | 50.8dBm（120W） |
| 增益： | 25.8dB |
| RF 型： | W-CDMA |
| 电源电压： | 28V |
| 测试频率： | 1.88GHz |
| 封装/外壳： | TO-270-16 变式， 扁平引线 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
V DD = 28 Vdc, I DQ1B = 120 mA, I DQ2B = 450 mA
f
MHz
Max P out (1)
Watts dBm
Z in
?
Z load
?
1805
1840
1880
68
69
74
48.3
48.4
48.7
56.20 + j3.50
60.80 -- j6.10
57.90 -- j12.00
2.79 -- j5.39
2.81 -- j5.45
2.41 -- j5.63
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Z in
= Device input impedance as measured from gate to ground.
Z load = Test circuit impedance as measured from drain to ground.
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
in
Z
load
Figure 12. Maximum Output Power — Doherty Load Pull Optimization for Carrier Side
V DD = 28 Vdc, I DQ1B = 120 mA, I DQ2B = 450 mA
f
MHz
1805
1840
1880
Max Eff. (1)
%
53.3
53.4
54.0
Z in
?
56.20 + j3.50
60.80 -- j6.10
57.90 -- j12.00
Z load
?
4.10 -- j4.49
3.74 -- j4.54
3.65 -- j4.55
(1) Maximum efficiency measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Z in
= Device input impedance as measured from gate to ground.
Z load = Test circuit impedance as measured from drain to ground.
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
in
Z
load
Figure 13. Maximum Efficiency — Doherty Load Pull Optimization for Carrier Side
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MD7IC2012GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2012NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MD7IC2050GNR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
| MD7IC2050NBR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO272WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
| MD7IC2050NR1 | 功能描述:功率放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
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