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参数资料
| 型号： | MD7P19130HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 751K |
| 描述： | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.25A |
| 功率 - 输出： | 130W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 11. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MF3060C-E3/4W | DIODE SCHOT 30A 60V DUAL TO220 |
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| MGLS-240128TA-HV-S | LCD GRAPHIC 240X128 HV SILVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MD7S | 功能描述:桥式整流器 MD-S,MiniDIp,0.5A 1000V,Bridge,SM,GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MD-7S | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| MD7SJ | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| MD7SJ-T-A01 | 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED |
| MD7S-W | 功能描述:桥式整流器 1000V .5A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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