参数资料
型号: MD7P19130HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 6/16页
文件大小: 751K
描述: MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 1.93GHz ~ 1.99GHz
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.25A
功率 - 输出: 130W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780HS-4
供应商设备封装: NI-780HS-4
包装: 带卷 (TR)
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MD7S 功能描述:桥式整流器 MD-S,MiniDIp,0.5A 1000V,Bridge,SM,GP RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
MD-7S 制造商:Pan Pacific 功能描述:
MD7SJ 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
MD7SJ-T-A01 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED
MD7S-W 功能描述:桥式整流器 1000V .5A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube