型号: | MG100Q2YS51 |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | 2-109C4A, 7 PIN |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MG100Q2YS51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MG10Q6ES51A | IGBT |
MG150J1ZS50 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
MG150J2YS50 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
MG150J7KS60 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
MG150Q2YK1 | 150 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MG100Q2YS51A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
MG100Q2YS65H | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
MG1010-11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink |
MG1010C | 制造商:REGAL BELOIT 功能描述:MARATHON PARTS |
MG1011-15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink |