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参数资料
| 型号： | MG300Q2YS50 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109C4A, 7 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | MG300Q2YS50 |
MG300Q2YS50
2002-08-22
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
l High input impedance
l High speed : tf = 0.3s (Max.)
Inductive load
l Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (Max.)
l Enhancement-mode
l Includes a complete half bridge in one package.
l The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-109C1A
Weight: 430g
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG300Q2YS60A | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300Q2YS61 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG30J6ES50 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG360V1US41 | 360 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400J2YS50 | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG300Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 300A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG300Q2YS61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Power Switching Applications Motor Control Applications |
| MG300Q2YS65H | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG-3020DD | 制造商:EPSONTOYOCOM 制造商全称:Epson ToYoCom 功能描述:Crystal oscillator |
| MG30G2CL3 | 制造商:n/a 功能描述:_ 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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