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参数资料
| 型号： | MG600J2YS61A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 125nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2770W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
MG600J2YS61A
DUAL IGBTMOD?
COMPACT IGBT SERIES MODULE
600 AMPERES/600 VOLTS
ELECTRICAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
CONTROL SECTOR
FAULT OUTPUT CURRENT
OVER-TEMPERATURE
FAULT OUTPUT DELAY TIME
O C
O T
T D(FO)
V GE = 15V
—
V CC = 300V, V GE = ±15V
720
100
—
—
—
—
—
125
6.5
A
°C
μS
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
JUNCTION TO CASE THERMAL RESISTANCE
CONTACT THERMAL RESISTANCE
Symbol
R TH(J-C)Q
R TH(J-C)D
R TH(C-F)
Condition
IGBT (PER 1/2 MODULE)
FWDI (PER 1/2 MODULE)
—
Min.
—
—
—
Typ.
—
—
0.013
Max.
0.045
0.068
—
Units
°C/WATT
°C/WATT
°C/WATT
RECOMMENDED CONDITIONS FOR USE
Characteristic
SUPPLY VOLTAGE
GATE VOLTAGE
GATE RESISTANCE
SWITCHING FREQUENCY
Symbol
V CC
V GE
R G
F C
Condition
APPLIED ACROSS C1-E2 TERMINALS
—
—
—
Value
≤ 375
13.8 ^ 16
≥ 5.1
0 ^ 20
Units
VOLTS
VOLTS
Ω
KHZ
600
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
600
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
600
FREE-WHEEL DIODE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
500
400
300
T J = 25°C
V GE = 20V
12V
15V
10V
500
400
300
T J = 25°C
V GE = 20V
12V
10V
15V
9V
500
400
300
V GE = 0V
T J = 25°C
T J = 125°C
TJ = -40°C
200
200
200
100
9V
100
100
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE(SAT) , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
12
T J = 25°C
10
I C = 900A
8
I C = 600A
6
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE(SAT) , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
12
T J = 125°C
10
I C = 900A
8
I C = 600A
6
FORWARD VOLTAGE, V F , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
12
T J = -40°C
10
I C = 900A
8
I C = 600A
6
4
I C = 300A
4
I C = 300A
4
I C = 300A
2
2
2
0
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
5/05
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MG600Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG600Q1US59A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600Q1US61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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