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参数资料
| 型号： | MG600J2YS61A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 125nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2770W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
MG600J2YS61A
DUAL IGBTMOD?
COMPACT IGBT SERIES MODULE
600 AMPERES/600 VOLTS
10 3
REVERSE RECOVERY TIME
(TYPICAL )
10 1
REVERSE RECOVERY LOSS VS.
FORWARD CURRENT
(TYPICAL)
10 6
CAPACITANCE VS.
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(TYPICAL)
V GE = 0V
F = 1MHZ
10 2
10 0
10 5
T C = 25°C
C IES
V CC = 300V
V GE = ±15V
R G = 5.1 ?
T J = 25°C
V CC = 300V
V GE = ±15V
R G = 5.1 ?
T J = 25°C
10 4
C OES
10 1
0
100
200
300
400
T J = 125°C
500 600
10 -1
0
T J = 125°C
100 200 300 400 500 600 700
10 3
10 -2
10 -1
10 0
C RES
10 1
10 2
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
REVERSE BIAS
SAFE OPERATION AREA
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VS.
GATE CHARGE
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE-EMITTER VOLTAGE VS.
GATE CHARGE
(TYPICAL)
10 4
10 3
500
400
I C = 300A
R L = 0.5 ?
T J = 25C
20
16
I C = 300A
R L = 0.5 ?
T J = 25C
10 2
300
200
12
8
200V
100V
300V
V CE = 0V
10 1
10 0
0
V GE = ±15V
R G = 5.1 ?
T J ≤ 125°C
100 200 300 400 500 600 700
100
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
4
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
T C = 25°C
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) Q = 0.045°C/W
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
GATE CHARGE, Q G , (NC)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDI)
T C = 25°C
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) D = 0.068°C/W
GATE CHARGE, Q G , (NC)
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
6
TIME, (S)
TIME, (S)
5/05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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