参数资料
型号: MGD623N
厂商: SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: TO-3P, PIN
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
代理商: MGD623N
IGBT
MGD623N
July, 2009
Sanken Electric Co.,Ltd.
T04-002EA-090721
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
Characteristic Curves
IF - VF (typical)
0
20
40
60
80
100
01
23
VF (V)
IF
(A)
25℃
Tc= 125℃
25℃
SAFE OPERATING AREA
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VCE (V)
IC
(
A
)
IC(pulse) max
IGBT
Tc=25℃
1shot
10μs
100μs
Reve rse Bias ASO
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VCE (V)
IC
(A
)
IGBT
VGE=15V
Rg=39Ω
1shot
Tc=125℃
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
PT (sec.)
R
th
j-
c
(
/
W
)
Di
IGBT
Tc = 25℃
1素子
1shot
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