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参数资料
| 型号： | MGFK41A4045 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | MGFK41A4045 |
MGFK41A4045
IM3 vs. OUTPUT POWER
TEST CONDITIONS
Vds(Rfoff)=10V,Ids(RFoff)=3.0A,Rg=50ohm
2-tone test ,
f=10MHz
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
June-'04
Freqency=14.0GHz
15
20
25
30
35
15
20
25
30
Pin(dBm)(S.C.L)
Pout(dBm)(S.C.L)
-50
-40
-30
-20
-10
IM3(dBc)
Pout
IM3
Freqency=14.25GHz
15
20
25
30
35
15
20
25
30
Pin(dBm)(S.C.L)
Pout(dBm)(S.C.L)
-50
-40
-30
-20
-10
IM3(dBc)
Pout
IM3
Freqency=14.5GHz
15
20
25
30
35
15
20
25
30
Pin(dBm)(S.C.L)
Pout(dBm)(S.C.L)
-50
-40
-30
-20
-10
IM3(dBc)
Pout
IM3
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MGFL45V1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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