- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378670 > MGP14N60E (MOTOROLA INC) Insulated Gate Bipolar Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MGP14N60E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MGP14N60E |
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
STYLE 9:
PIN 1.
GATE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGP14N60E | SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE |
| MGP15N60U | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGP15N60U | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGP20N14CL | Internally Clamped, N-Channel IGBT |
| MGP20N14CL | SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGP15N35CL | 功能描述:IGBT 晶体管 15A 350V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| MGP15N35CL_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK |
| MGP15N38CL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Internally Clamped N-Channel IGBT |
| MGP15N40CL | 功能描述:IGBT 晶体管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| MGP15N40CL_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。