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参数资料
| 型号： | MGSF1N03LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MGSF1N03L, MVGSF1N03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 10 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 1.2 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 1.0 Adc)
V GS(th)
r DS(on)
1.0
?
?
1.7
0.08
0.125
2.4
0.10
0.145
Vdc
W
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DG = 5.0 Vdc)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
140
100
40
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
2.5
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 15 Vdc, I D = 1.0 Adc,
R L = 50 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
1.0
16
8.0
?
?
?
Gate Charge (See Figure 6)
Q T
?
6000
?
pC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Current
Pulsed Current
Forward Voltage (Note 5)
I S
I SM
V SD
?
?
?
?
?
0.8
0.6
0.75
?
A
V
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.5
V DS = 10 V
2.5
V GS = 3.75 V
3.5 V
2
2
1.5
1.5
3.25 V
1
- 55 ° C
T J = 150 ° C
1
3.0 V
0.5
25 ° C
0.5
2.75 V
2.5 V
0
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0
2
4
6
8
10
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
http://onsemi.com
2
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA-3.6864MHZ-L-T3 | OSC 3.6864 MHZ 3.3V SMD |
| B32560J3683K189 | FILM CAP 68NF 10% 250V |
| SFA66S1K219B-F | CAP FILM 1UF 660VAC QC TERM |
| EEC2G105HQA401 | CAP FILM 1UF 400VAC QC TERM |
| 3590S-6-104L | POT 100K OHM 7/8" RD WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGSF1P02 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Power MOSFET P-Channel |
| MGSF1P02ELT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02LT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MGSF1P02LT3 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
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