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参数资料
| 型号： | MGSF1N03LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MGSF1N03L, MVGSF1N03L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.24
0.19
0.14
V GS = 4.5 V
150 ° C
25 ° C
0.16
0.14
0.12
0.1
V GS = 10 V
150 ° C
25 ° C
0.09
-55 ° C
0.08
0.06
-55 ° C
0.04
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.04
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
10
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10 V
I D = 2 A
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
8
6
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
0.8
4
0.6
0.4
0.2
2
I D = 2.0 A
0
- 55
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
350
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
V GS = 0 V
300
f = 1 MHz
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
250
T J = 25 ° C
200
0.01
150
100
50
C iss
C oss
C rss
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0
4
8
12
16
20
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (Volts)
Figure 8. Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA-3.6864MHZ-L-T3 | OSC 3.6864 MHZ 3.3V SMD |
| B32560J3683K189 | FILM CAP 68NF 10% 250V |
| SFA66S1K219B-F | CAP FILM 1UF 660VAC QC TERM |
| EEC2G105HQA401 | CAP FILM 1UF 400VAC QC TERM |
| 3590S-6-104L | POT 100K OHM 7/8" RD WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGSF1P02 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Power MOSFET P-Channel |
| MGSF1P02ELT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
| MGSF1P02LT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MGSF1P02LT3 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R |
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