参数资料
型号: MGSF1N03LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 140pF @ 5V
功率 - 最大: 420mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
MGSF1N03L, MVGSF1N03L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
T J = 150 ° C, T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
0.01
0.1
Package Limit
1
10
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1000
D = 0.5
100 0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
1
0.1
0.000001
SINGLE PULSE
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 10. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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PDF描述
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EEC2G105HQA401 CAP FILM 1UF 400VAC QC TERM
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