参数资料
型号: MID550-12A4
厂商: IXYS
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描述: MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
标准包装: 2
IGBT 类型: NPT
配置: 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.8V @ 15V,400A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 670A
电流 - 集电极截止(最大): 21mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 26nF @ 25V
功率 - 最大: 2750W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y3-DCB
供应商设备封装: Y3-DCB
MID 550-12 A4
MDI 550-12 A4
A
900
800
T J = 25°C
V GE =17 V
15V
A
900
800
T J = 125°C
V GE =17V
15V
I C
700
600
13V
11V
I C
700
600
13V
11V
500
400
500
400
300
300
9V
200
100
0
9V
200
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5 V
800
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
1600
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
A
700
V CE = 20V
T J = 25 ° C
A
1400
T J = 125 ° C
I C
600
500
400
300
200
100
0
I F
1200
1000
800
600
400
200
0
T J = 25°C
5
6
7
8
9
10
11 V
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
120
300
I C
V
V CE = 600V
= 400A
A
ns
V GE 15
I RM
80
t rr
200
t rr
10
T J = 125 ° C
40
V R = 600V
100
5
I RM
I F = 400A
0
0
500
1000
1500
Q G
2000 nC
0
0
200
400
600
A/
800 s
-di/dt
550-12
0
1000
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2000 IXYS All rights reserved
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
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