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参数资料
| 型号： | MID550-12A4 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB |
| 标准包装： | 2 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，400A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 670A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 21mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 26nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2750W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
MID 550-12 A4
MDI 550-12 A4
160
160
160
800
mJ
E on
ns
mJ
t d(off)
ns
E on
120
t d(on)
120
t
E off 120
600
t
80
V CE = 600V
V GE = ±15V
t r
80
80
V CE = 600V
V GE = ±15V
E off
400
R G = 1.8
T J = 125 ° C
R G = 1.8
T J = 125 ° C
40
40
40
200
t f
0
0
0
0
0
200
400
600
800 A 1000
0
200
400
600
800
A 1000
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
200
mJ
160
120
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 400A
T J = 125 ° C
E on
t d(on)
400
ns
320
240
t
E off
100
mJ
80
60
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 400A
T J = 125 ° C
E off
t d(off)
2000
ns
1600
1200
t
80
40
t r
160
80
40
20
800
400
0
0
0
t f
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
1000
A
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
0.1
K/W
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
I CM
800
0.01
Z thJC
600
400
R G = 1.8
T J = 125 ° C
V CEK < V CES
0.001
diode
IGBT
200
0
0.0001
0.00001
single pulse
550-12
0
200
400
600
800 1000 1200 V
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
s
1
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2000 IXYS All rights reserved
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
4-4
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