参数资料
型号: MITB10WB1200TMH
厂商: IXYS
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI
标准包装: 20
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.2V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 17A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.6nF @ 25V
功率 - 最大: 70W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: MiniPack2
供应商设备封装: 迷你型Pack2
Advanced Technical Information
MITB10WB1200TMH
20
25 °C
20
Vge= 19V
18
125 °C
18
Vge= 17V
Vge= 15V
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Vge= 13V
Vge= 11V
Vge= 9V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
20
Vce [V]
Typical output characteristics, V GE = 15 V
25 °C
20
Vce [V]
Typical output characteristics (125°C)
25 °C
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
125 °C
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
125 °C
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
Vge [V]
Typical transfer characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
Vf [V]
Typical forward characteristics of freewheeling diode
20100906b
6-8
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PDF描述
MITB15WB1200TMH MODULE IGBT CBI
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