型号: | MIXA10WB1200TED |
厂商: | IXYS CORP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | MODULE-24 |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MIXA10WB1200TED |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MIXA150W1200TEH | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MIXA30W1200TMH | 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MJ01-192RPFT-101 | 192 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
MJ01-96RPMP-132 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
MJ01-96RPMP-134 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MIXA10WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
MIXA10WB1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
MIXA150Q1200VA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
MIXA150R1200VA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
MIXA150W1200TEH | 功能描述:IGBT 模块 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |