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参数资料
| 型号： | MIXA10WB1200TED |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-24 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MIXA10WB1200TED |
2009 IXYS All rights reserved
6 - 7
20090804b
MIXA10WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0
1
2
3
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V
CE [V]
I
C
[A]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
0
5
10
15
20
V
GE
[V]
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
13 V
80
120
160
200
240
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
E
[mJ]
E
on
Fig. 1 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
VGE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
off
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
Q
G [nC]
R
G [ ]
E
[mJ]
I
C [A]
E
on
E
off
I
C =
10 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
R
G = 100 W
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C
= 10 A
V
CE = 600 V
VGE = 15 V
T
VJ = 125°C
T
VJ = 125°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIXA150W1200TEH | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIXA30W1200TMH | 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MJ01-192RPFT-101 | 192 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| MJ01-96RPMP-132 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
| MJ01-96RPMP-134 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIXA10WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA10WB1200TML | 功能描述:IGBT 模块 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA150Q1200VA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA150R1200VA | 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MIXA150W1200TEH | 功能描述:IGBT 模块 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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