参数资料
型号: MJ15001
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 140 VOLTS 200 WATTS
中文描述: 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件页数: 3/4页
文件大小: 165K
代理商: MJ15001
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
f
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1
2
3
5
10
7
20
0.2
0.3
0.5
2
0.7
1
2
3
5
10
7
20
0.2
0.3
0.5
Figure 2. Capacitances
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
0
0.7
1
2
3
5
10
7
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. Current–Gain — Bandwidth Product
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. DC Current Gain
700
500
1000
3
5
10
150
2
300
200
100
70
50
30
20
7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. “On” Voltages
10
20
30
70
50
100
1.5
9
8
10
0.3
0.5
1
0.2
4
3
2
1
0.7
MJ15002 (PNP)
0
3
5
10
7
0.1
2
7
6
5
0.2
0.3
0.5
TJ = 25
°
C
VBE @ VCE = 2 Vdc
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
TJ = 100
°
C
25
°
C
100
°
C
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
0
0.7
1
2
3
5
10
7
20
0.2
0.3
0.5
TJ = 100
°
C
25
°
C
h
VCE = 2 Vdc
TJ = 25
°
C
VCE = 10 V
ftest = 0.5 MHz
Cib
MJ15001 (NPN)
TJ = 25
°
C
MJ15001 (NPN)
MJ15002 (PNP)
h
V
70
50
100
30
20
10
7
5
3
2
200
70
50
100
30
20
10
7
5
3
200
C
Cib
Cob
Cob
MJ15001
MJ15002
MJ15001
MJ15002
VCE = 2 Vdc
TJ = 100
°
C
25
°
C
VBE @ VCE = 2 Vdc
TJ = 25
°
C
100
°
C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
TJ = 100
°
C
25
°
C
TYPICAL CHARACTERISTICS
相关PDF资料
PDF描述
MJ15002 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
MJ15001 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ15002 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ21193 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts
MJ21193 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相关代理商/技术参数
参数描述
MJ15001_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors
MJ15001G 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002G 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJ15003 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2