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参数资料
| 型号： | MJD112 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | MJD112 |
2003. 3. 27
2/2
MJD112/L
Revision No : 4
SATURATION
VOLTAGE
CE(sat)
COLLECTOR CURRENT I
(A)
C
V
,V
- I
h
- I
C
COLLECTOR CURRENT I
(A)
0.01
0.03
0.1
0.3
FE
DC
CURRENT
GAIN
h
P - Ta
C
CASE TEMPERATURE Ta ( C)
0
C
0
POWER
DISSIPATION
P
(W)
50
100
150
200
5
10
15
20
25
FE
C
13
5
100
300
500
1k
3k
5k
10k
V =3V
CE
CE(sat)
C
V
,V
(V)
0.1
0.5
0.3
0.03
0.01
0.1
1
3
0.3
1
3 5
10
I /I =250
5
C
VBE(sat)
VCE(sat)
B
BE(sat)
100
10
200
50
30
3
1
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V
(V)
CB
ob
C
- V
CAPACITANCE
C
(pF)
ob
510
30
50
f=0.1MHz
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
SAFE OPERATING AREA
COLLECTOR
CURRENT
I
(A)
1
0.01
C
CE
3
10
30
100
200
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
SINGLE NONREPETIVE
PULSE Tc=25 C
CURVES MUST BE DREATED
LINEARLY WITH INCREASE
IN TEMPERATURE
*
I MAX.(PULSED) *
C
I MAX.
(CONTINUOUS)
C
DC OPERATION
100
S*
1mS*
5mS*
Tc=25 C
Ta=25 C
1
2
1
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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