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参数资料
| 型号： | MJD117T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | MJD117T4 |
Electrical characteristics
MJD112, MJD117
4/10
Doc ID 3540 Rev 3
2.1
Typical characteristic (curves)
Figure 2.
DC current gain
(VCE = 3 V NPN)
Figure 3.
DC current gain
(VCE = - 3 V PNP)
Figure 4.
DC current gain
(VCE = 5 V NPN)
Figure 5.
DC current gain
(VCE = - 5 V PNP)
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage (NPN)
Figure 7.
Collector-emitter saturation
voltage (PNP)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD112 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD117 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD112 | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-T1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD117T4G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117TF | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122 | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor |
| MJD122_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:nullLow voltage power Darlington transistor |
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