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参数资料
| 型号： | MJD122I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MJD122I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD122
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.1
1
10
100
1k
10k
VCE = 4V
h
FE
,DC
CU
RRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SA
TURATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
VCC= 30V
IC=250IB
IB1=IB2
tD, VBE(off)=0
tR
t R
,t
D
[
s
],
TU
R
N
ON
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
VCC=30V
IC=250IB
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s
],
TU
R
N
O
FF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
500
s
5m
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
E
CT
O
R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD127-1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MJD122T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK |
| MJD122T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252 |
| MJD122TF | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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