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参数资料
| 型号： | MJD122I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MJD122I |
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD122
Dimensions in Millimeters
6.60
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
5.34
±0.30
0.70
±0.20
0.60
±0.20
0.80
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
MIN0.55
0.76
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
6.60
±0.20
0.76
±0.10
(5.34)
(1.50)
(2XR0.25)
(5.04)
0.89
±0.10
(0.10)
(3.05)
(1.00)
(0.90)
(0.70)
0.91
±0.10
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
D-PAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD127-1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD122T4 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK |
| MJD122T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252 |
| MJD122TF | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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