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参数资料
| 型号： | MJD127-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | MJD127-1 |
MJD122 MJD127
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
100
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
ICEO
—
10
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
10
Adc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
2
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc)
(IC = 8 Adc, VCE = 4 Vdc)
hFE
1000
100
12,000
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4 Adc, IB = 16 mAdc)
(IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
VCE(sat)
—
2
4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 8 Adc, IB = 80 mAdc)
VBE(sat)
—
4.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 4 Adc, VCE = 4 Vdc)
VBE(on)
—
2.8
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain–Bandwidth Product
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
|hfe|
4
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
MJD127
MJD122
Cob
—
300
200
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 kHz)
hfe
300
—
—
(1) Pulse Test: Pulse Width
v 300 s, Duty Cycle v 2%.
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
Figure 1. Power Derating
25
T, TEMPERATURE (°C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD253-1 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD127G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127T4 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127TF | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127-TP | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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