- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95947 > MJD253-1 (MOTOROLA INC) 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD253-1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-05, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | MJD253-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD148-2 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD148T4 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MTD3055ET4 | 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD8N06ET4 | 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20T4 | 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD253-1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD253T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD253T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
| MJD2955 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。