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参数资料
| 型号： | MJD127-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369-07, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | MJD127-1 |
MJD122 MJD127
http://onsemi.com
3
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
0.1
0.7
3000
0.5
1
20,000
1000
23
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
35
2
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
3
2.5
1
0.5
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20 30
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
PNP MJD127
NPN MJD122
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 4 V
TJ = 150°C
7000
0.1
0.7
25°C
-55°C
3000
0.5
1
20,000
700
1000
23
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
35
4 A
IC = 2 A
2
TJ = 25°C
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
3
2.5
1
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20 30
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. “On” Voltages
200
300
0.3
7 10
0.7
0.5
7
2
10
6 A
VCE = 4 V
TJ = 150°C
25°C
-55°C
TJ = 25°C
4 A
IC = 2 A
6 A
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 4 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD253-1 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD127G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127T4 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127TF | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127-TP | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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