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参数资料
| 型号： | MJD2955-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | MJD2955-I |
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Qualification Support
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Product
MJD2955TF
2007 Fairchild Semiconductor
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Product Folder - Fairchild P/N MJD2955 - PNP Epitaxial Silicon Transistor
18-Aug-2007
mhtml:file://C:\TEMP\MJD2955TF.mht
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MJD29-T1 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29C-T1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD3055-I | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD2955T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD2955T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD2955T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD2955TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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