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参数资料
| 型号： | MJD2955 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MJD2955 |
Base-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
Transition Frequency (NPN type)
Base-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Transition Frequency (PNP type)
MJD2955 / MJD3055
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD3055T4 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD3055 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD2955T4 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD29C-I | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29-I | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD2955_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
| MJD2955_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
| MJD2955_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD2955-001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD2955-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
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