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参数资料
| 型号： | MJD2955 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MJD2955 |
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.20
2.40
0.087
0.094
A1
0.90
1.10
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.90
0.025
0.035
B2
5.20
5.40
0.204
0.213
C
0.45
0.60
0.018
0.024
C2
0.48
0.60
0.019
0.024
D
6.00
6.20
0.236
0.244
E
6.40
6.60
0.252
0.260
G
4.40
4.60
0.173
0.181
H
9.35
10.10
0.368
0.398
L2
0.8
0.031
L4
0.60
1.00
0.024
0.039
V2
0
o
8
o
0
o
0
o
P032P_B
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
MJD2955 / MJD3055
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD3055T4 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD3055 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD2955T4 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD29C-I | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29-I | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD2955_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
| MJD2955_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
| MJD2955_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
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| MJD2955-001G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
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