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参数资料
| 型号： | MJD31C-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD31C-I |
MJD31/31C
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
rans
istor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD31/31C Rev. A3
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE = 2V
h
FE
,D
C
CU
RREN
T
G
A
IN
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
IC = 10 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(sa
t),
V
CE
(sa
t)[V],
S
A
TUR
A
TIO
N
VO
LTAG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
ob
[pF
],
CAPA
CITAN
C
E
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.1
1
t
R, VCC=30V
t
R, VCC=10V
t
C = 10.IB
t
D, VBE(off)=2V
t R
,t
D
[
μs],
TU
RN
O
N
TI
ME
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
tSTG
tF, VCC=30V
tC = 10.IB
tF, VCC(off)=10V
t F
,t
ST
G
[μ
s
],
TUR
N
O
FF
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
MJ
D
3
1
10
0μ
s
50
0
μ
s
M
J
D
31C
1m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A
],
C
O
L
EC
T
O
R
CU
RR
ENT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31I | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| MJD32C-TP | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD360T4-A | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD361T4-A | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD41CI | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MJD31CT4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD31CT4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT NPN PWR TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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