型号: | MJD32C-1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MJD32C-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD31CI | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD31C-I | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD31I | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD32C-TP | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD360T4-A | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD32C-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD32C1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD32CG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD32CQ-13 | 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
MJD32CRL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |