- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95947 > MJD32CT4-A (STMICROELECTRONICS) 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD32CT4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | MJD32CT4-A |
MJD32CT4-A
Electrical characteristics
Doc ID 13576 Rev 3
3/9
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
2.1
Electrical characteristic (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector cut-off current
(VBE = 0)
VCE = - 100 V
-
-20
A
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCB = - 60 V
-
-50
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = - 5 V
-
-0.1
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = - 30 mA
-100
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = - 3 A
_ IB = - 375 mA
-
-1.2
V
VBE(on)
(1)
Base-emitter on voltage
IC = - 3 A
_
VCE = - 4 V
-
-1.8
V
hFE
DC current gain
IC = - 1 A
_ _ VCE = - 4 V
IC = - 3 A
VCE = - 4 V
25
10
-
50
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32CT4 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD32CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CTF_NBDD002 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CTF_SBDD002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。