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参数资料
| 型号： | MJD340I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MJD340I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD340
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
300
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
3
V
IC
Collector Current (DC)
0.5
A
ICP
Collector Current (Pulse)
0.75
A
PC
Collector Dissipation (TC=25°C)
15
W
Collector Dissipation (Ta=25°C)
1.56
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
VCEO(sus)
* Collector Emitter Sustaining Voltage
IC = 1mA, IB = 0
300
V
ICEO
Collector Cut-off Current
VCB = 300V, IE =0
0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 3V, IC = 0
0.1
mA
hFE
* DC Current Gain
VCE = 10V, IC = 50mA
30
240
MJD340
High Voltage Power Transistors
D-PAK for Surface Mount Applications
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
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PDF描述 |
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