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参数资料
| 型号： | MJD340I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MJD340I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD340
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Power Derating
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VCE = 10V
h
FE
,DC
C
URRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
IC = 10 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SA
TURATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
1
10
100
1000
500
s
100
s
1m
s
DC
ICP(max)
IC(max)
I C
[m
A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CUR
RENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
3
6
9
12
15
18
21
24
P
C
[W
],
PO
W
E
R
D
ISS
IP
AT
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD350-1 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-1 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD350I | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD340T4 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MJD340RLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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